二氧化硫腐蝕試驗(yàn)儀用途：

適用于對金屬材料的防護(hù)層、零部件、電子器件、橡、塑膠及工業(yè)產(chǎn)品等進(jìn)行加老化試驗(yàn)，迅速方便地重現(xiàn)噴涂與未處理過的金屬表面的老化過程。試驗(yàn)箱模擬和強(qiáng)化特定環(huán)境中的二氧化硫條件，研究二氧化硫?qū)Ξa(chǎn)品的作用規(guī)律，快速鑒定和評價產(chǎn)品抗二氧化硫老化性能與抗二氧化硫劑防護(hù)效能的方法，進(jìn)而采取有效的防老化措施，以提高產(chǎn)品的使用壽命。

規(guī)格及型號:

型號: ZT-CTH-150-F-S     內(nèi)形尺寸W×H×D    500×600×500mm

型號: ZT-CTH-225-F-S     內(nèi)形尺寸W×H×D    500×750×600mm

型號: ZT-CTH-408-F-S     內(nèi)形尺寸W×H×D    600×850×800mm

型號: ZT-CTH-800-F-S     內(nèi)形尺寸W×H×D    1000×1000×800mm

型號: ZT-CTH-1000-F-S   內(nèi)形尺寸W×H×D    1000×1000×1000mm

技術(shù)參數(shù):

1、溫度范圍：+10℃～+80℃

2、濕度范圍：30%～98%R.H

3、溫度波動度：≤±0.5℃

4、溫度均勻度：≤±2℃

5、升溫速率：0.7～1.5℃/min

6、二氧化硫濃度：0～500/1000ppm

7、氣體流速：12～16mm/S（可調(diào)）

8、試樣架：2套

10、時間設(shè)定范圍：0～9999小時

11、電源要求：AC220V±10%/50HZ 單相三線制.

設(shè)備材質(zhì)：

1、外殼材質(zhì)采用pp耐酸堿材料或特殊防銹處理冷軋板噴塑烤漆

2、內(nèi)膽材質(zhì)采用pp耐酸堿材料或鈦合金板;

3、保溫材質(zhì)采用高密度玻璃纖維棉或硬質(zhì)Polurethane發(fā)泡。

4、攪拌系統(tǒng)采用長軸風(fēng)扇電機(jī)，耐高低溫之不銹鋼多翼式葉輪,以達(dá)強(qiáng)度對流垂直擴(kuò)散循環(huán);

5、門與箱體之間采用雙層耐高溫之高張性密封條以確保測試區(qū)的密閉;

6、機(jī)器底部采用高品質(zhì)可固定式PU活動輪;

7、觀察窗采用多層中空鋼化玻璃,內(nèi)側(cè)膠合片式導(dǎo)電膜;

加熱、加濕、除濕系統(tǒng)：

A、加熱系統(tǒng)：
1、采用抗酸腐蝕鈦合金高速加溫電加熱器;
2、溫度控制輸出功率均控制器演算，以達(dá)高精度高效率之用電效益;
B、加濕系統(tǒng)：
1、內(nèi)置式鍋爐蒸汽式加濕器;
2、具有自動抽水補(bǔ)償、缺水報警系統(tǒng);
3、抗酸腐蝕鈦合金電熱蒸發(fā)汽發(fā)生方式加濕器

4、濕度控制均采用P.I.D ＋S.S.R，系統(tǒng)控制;
C、除濕系統(tǒng)：采用蒸發(fā)器盤管露點(diǎn)溫度層流接觸除濕方式;

制冷系統(tǒng)：
1、壓縮機(jī)：全封閉法國純進(jìn)口泰康牌；
2、制冷方式：風(fēng)冷式
3、制冷劑：美國聯(lián)信R404A（環(huán)保型）

控制系統(tǒng)：

1、儀表采用進(jìn)口數(shù)顯觸摸式，P.I.D微電腦S.S.R溫濕度/氣體控制器;

2、精度：0.1℃（顯示范圍）

3、解析度：±0.1℃

4、感溫傳感器：PT100鉑電阻測試器；

5、控制方式：熱平衡調(diào)溫方式；

6、溫濕度控制采用P.I.D系統(tǒng)同頻道協(xié)調(diào)控制;

7、具有自動演算的功能，可減少人為設(shè)定時所帶來的不便;

8、控制采用進(jìn)口PIC可編程序模塊，及PLC模擬量擴(kuò)展模塊“5.7寸" 高清晰液晶屏顯示器;

二氧化硫腐蝕試驗(yàn)儀系統(tǒng)：

1、二氧化硫及氯化氫介質(zhì)（鋼瓶套件）氣體濃度由計(jì)量筒+浮標(biāo)+調(diào)節(jié)閥主件為無聲放二氧化硫控制（具有噪音體積

     小，純度高等特點(diǎn)）4～20mA輸出控制精度±3%，其內(nèi)箱濃度穩(wěn)定及均勻效果*更勝*。

2、冷卻方式：風(fēng)冷式

3、排氣裝置：廢氣采用活性炭加純堿過濾由風(fēng)機(jī)排出室外

4、檢測探頭為進(jìn)口英國CT電化學(xué)傳感器及外殼、電子線路板、屏蔽導(dǎo)線等組成

5、二氧化硫測探頭輸出信號：4～20mA

6、二氧化硫檢測探頭采集精度：≤±5%F.S